时间：2025/8/15 2:38:58
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PJE5UFN10A T/R 是由Panasonic（松下）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率、高效率的电源转换应用。该器件采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有较低的导通电阻和优良的热性能，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：5.5A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：0.125Ω @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：DFN1010（3.3x3.3mm）
PJE5UFN10A T/R MOSFET具有多项出色的电气和热性能，使其在高性能电源管理应用中表现出色。
首先，该器件的导通电阻非常低，在Vgs为10V时，Rds(on)仅为0.125Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。这对于高频率开关应用尤为重要，可以显著减少功率损耗并提高系统稳定性。
其次，该MOSFET采用了小型DFN封装（3.3x3.3mm），具备良好的热管理能力。DFN封装结构提供了较小的热阻（RθJA），有助于快速将热量传导至PCB，从而增强器件在高功率负载下的可靠性。
此外，PJE5UFN10A T/R的最大漏极电流为5.5A，漏源耐压为100V，适合用于中功率DC-DC转换器、同步整流、电机控制以及负载开关电路中。其±20V的栅极电压耐受能力也增强了其在高电压应用中的稳定性，防止栅极氧化层被击穿。
该器件还具备较快的开关速度，适用于高频开关电源设计，有助于减小外围电感和电容的体积，从而实现更紧凑的电源模块设计。
综上所述，PJE5UFN10A T/R是一款性能优越、封装小巧、适用于高效率电源管理的功率MOSFET。
PJE5UFN10A T/R广泛应用于各种需要高效、小型化电源管理的电子设备中。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、便携式设备中的电池管理系统（BMS）、电源负载开关、LED驱动电路、电机驱动器以及工业自动化控制电路等。其低导通电阻和高频率响应特性也使其成为高性能电源模块设计中的理想选择。
Si2302DS, FDMS86180, FDS6680, IPB013N04LG
