型号：GA0805H822JBABR31G
　　工作频率范围：7.5GHz 至 8.5GHz
　　增益：22dB
　　输出功率（1dB 压缩点）：+28dBm
　　饱和输出功率：+31dBm
　　电源电压：+5V
　　静态电流：450mA
　　封装形式：QFN-16
　　工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
　　输入匹配阻抗：50Ω
　　输出匹配阻抗：50Ω

GA0805H822JBABR31G 的主要特点是采用了先进的砷化镓（GaAs）异质结晶体管（pHEMT）技术，从而实现了卓越的高频性能。该芯片在 7.5GHz 至 8.5GHz 的频率范围内表现出色，具有高达 22dB 的增益以及良好的线性度。
　　此外，它支持高达 +28dBm 的输出功率（1dB 压缩点），能够满足多种射频应用的需求。由于其紧凑的 QFN-16 封装设计，这款芯片非常适合用于空间受限的应用场景，例如便携式设备或小型化基站。
　　同时，该器件还具备出色的散热性能和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。整体而言，GA0805H822JBABR31G 是一款高效且可靠的功率放大器解决方案。

GA0805H822JBABR31G 主要应用于以下领域：
　　1. 无线通信系统中的射频前端模块
　　2. 微波点对点链路
　　3. 雷达系统
　　4. 卫星通信终端
　　5. 测试与测量设备
　　6. 医疗成像设备
　　7. 工业自动化控制
　　其高频性能和大功率输出能力使其成为上述应用的理想选择。

GA0805H821JBABR31G
　　GA0805H823JBABR31G
　　GA0805H824JBABR31G