时间：2025/8/15 2:50:50
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PJE138K_R1_00001 是一款由PanJIT（强茂）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频率的电源转换应用。这款MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动器等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大值8.8mΩ（典型值7.5mΩ）
功率耗散：220W（Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-252（DPAK）
PJE138K_R1_00001 具备优异的电性能和热性能，适合高效率的功率转换设计。其主要特性包括：
1. **低导通电阻（Rds(on)）**：该器件的最大Rds(on)为8.8mΩ，这可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。由于Rds(on)较低，MOSFET在高电流工作时的温升也更小，有助于提高系统的稳定性。
2. **高电流承载能力**：连续漏极电流可达100A，在高功率应用中表现优异，适用于大电流负载的开关控制。
3. **优良的热管理性能**：采用TO-252封装，具有良好的散热能力，确保在高功率工作条件下的可靠性。此外，该器件的热阻（RθJC）较低，有助于将热量快速传导至散热片或PCB上。
4. **高耐压能力**：漏源电压（Vds）高达30V，栅源电压（Vgs）为±20V，适合用于多种低压到中压的功率应用，如电池管理系统、DC-DC转换器等。
5. **高频工作能力**：由于其快速的开关特性，PJE138K_R1_00001 适用于高频开关电源和马达控制电路，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提高整体设计的紧凑性。
6. **符合RoHS标准**：该器件符合RoHS环保要求，适用于现代绿色电子产品的制造。
PJE138K_R1_00001 MOSFET广泛应用于各种功率电子设备中，包括：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC降压/升压转换器
? 负载开关电路
? 电池管理系统（BMS）
? 马达驱动与控制
? 高效服务器电源
? 电源管理模块
? 工业自动化设备
由于其高电流和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
SiSS138DN-T1-GE3, TPSD4138SQDCR, IPD138N10N3 G
