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GA1206Y334MXABR31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:36:20 查看 阅读:15

GA1206Y334MXABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型,支持高频率操作,并且具备出色的热稳定性和可靠性,非常适合工业和消费类电子应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:180A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:75nC(最大值)
  输入电容:3800pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y334MXABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场景。
  3. 高雪崩能量能力,提供更强的过载保护功能。
  4. 支持大电流操作,确保在重负载条件下仍能保持稳定性。
  5. 热增强型封装设计,有助于改善散热性能。
  6. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的运行需求。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 各种 DC-DC 转换器的设计。
  3. 电动机驱动电路,例如步进电机或无刷直流电机控制。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
  6. 汽车电子系统,如电池管理系统(BMS)、车载充电器等。

替代型号

GA1206Y334MXABR21G, IRF3205, FDP16N60

GA1206Y334MXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.33 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-