PJD8N10 时间：2025/8/15 1:01:40 阅读：4

PJD8N10是一款由PanJIT Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理、开关电路和功率控制应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.45Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、DPAK（取决于具体型号后缀）

特性

PJD8N10 MOSFET具备多项优异特性，使其适用于多种高功率应用场景。其100V的漏源电压额定值能够满足中高压系统的应用需求，而8A的连续漏极电流能力则确保了在较高负载下仍能稳定运行。器件的导通电阻较低，最大仅为0.45Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，PJD8N10具有快速开关特性，其开关时间较短，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。该器件采用TO-220或DPAK封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，能够在高温环境下可靠工作。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。PJD8N10还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，符合多种国际安全和环保标准，适用于各种高可靠性要求的系统设计。