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PJD80N04-AU_L2_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 17:21:12 查看 阅读:8

PJD80N04-AU_L2_000A1是一款由Power Integrations公司推出的高效能、集成式功率开关器件,广泛用于电源转换和功率管理应用。这款芯片集成了高压MOSFET和控制器,适用于各种AC-DC转换器设计,具备出色的能效和可靠性。

参数

类型:集成MOSFET和控制器
  最大漏极电流:80A
  漏源电压:40V
  导通电阻:典型值为5.5mΩ
  工作温度范围:-40°C至150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散:2.0W
  输入电压范围:支持宽电压输入,适用于全球范围内的电源适配

特性

PJD80N04-AU_L2_000A1具备多项先进的特性,使其在电源管理领域表现出色。首先,其集成MOSFET和控制器设计大大简化了电路设计,减少了外部元件数量,从而提高了整体系统的可靠性。其次,该器件采用了先进的散热技术,确保在高负载条件下也能保持良好的热稳定性。
  该芯片还支持多种保护功能,包括过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP),有效防止系统在异常情况下受损。此外,PJD80N04-AU_L2_000A1具有高能效特性,在宽负载范围内可实现高达90%以上的转换效率,非常适合节能型电源设计。
  在工作频率方面,PJD80N04-AU_L2_000A1支持高频开关操作,有助于减小变压器和滤波元件的尺寸,从而实现更紧凑的电源设计。其内置的抖频技术(Frequency Jitter)可有效降低电磁干扰(EMI),使设计更容易通过EMI认证。

应用

PJD80N04-AU_L2_000A1广泛应用于各类电源转换设备,包括开关电源(SMPS)、适配器、充电器、LED照明驱动电源、家电电源模块以及工业自动化设备中的电源管理系统。由于其高效能、高可靠性和集成度高的特点,特别适用于对能效和空间要求较高的应用场合。

替代型号

TOP246YN, TOP250YN, INN290XK, ICE2QS03G

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PJD80N04-AU_L2_000A1参数

  • 现有数量5,990现货
  • 价格1 : ¥9.30000剪切带(CT)3,000 : ¥3.94262卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Ta),80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1258 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.4W(Ta),79.4W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63