时间：2025/8/14 9:25:11
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PJD60N04-AU_L2_000A1 是一颗由 Power Integrations 公司生产的集成式功率 MOSFET 和驱动器的功率集成电路（Power IC），广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器以及各种中低功率电源系统中。该器件采用先进的集成技术，将功率 MOSFET 与驱动电路整合于单一封装中，有效减少了外围元件数量，提高了系统效率和可靠性。
类型：功率集成电路（Power IC）
功率器件：内置N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 2.8mΩ
封装类型：TSDSOP-16
工作温度范围：-40°C 至 150°C
保护功能：过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）
PJD60N04-AU_L2_000A1 的核心特性在于其高度集成化的设计，能够在一个封装内提供高效的功率转换能力。其内置的 N 沟道 MOSFET 具有极低的导通电阻（RDS(on)），显著降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件支持宽输入电压范围，适用于多种电源拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和反激（Flyback）等。
此外，PJD60N04-AU_L2_000A1 内置多种保护机制，包括过温保护（OTP）、过流保护（OCP）和欠压锁定（UVLO），确保在异常工作条件下器件和系统的安全性。其 TSDSOP-16 封装具有良好的散热性能，适合在高密度 PCB 布局中使用。
该器件的驱动电路设计优化，能够提供快速的开关响应时间，从而减少开关损耗，提升系统整体能效。同时，其 PWM 控制器和功率 MOSFET 集成在一个芯片上，降低了设计复杂度并提高了系统稳定性。PJD60N04-AU_L2_000A1 还具有低待机功耗的特性，适用于需要节能环保的应用场景。
PJD60N04-AU_L2_000A1 主要应用于各种中小功率的开关电源系统，包括但不限于：适配器、电池充电器、LED 照明驱动、工业电源、消费类电子产品电源模块以及车载充电系统。其高集成度与多功能保护特性也使其非常适合用于对空间和效率要求较高的嵌入式电源系统中。
PJD60N04-AU, PJD60N04-TL, PJD75N04-AU
