时间：2025/8/14 10:57:09
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PJD50P04_L2_00001是一款由PowerJect（力积电）生产的功率MOSFET器件，专为高效率功率转换应用设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等多种应用领域。PJD50P04_L2_00001具备良好的热稳定性和高频操作性能，使其成为工业自动化、汽车电子以及消费类电源设备的理想选择。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：50V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（典型值）
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（最大值，Vgs=10V）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
PJD50P04_L2_00001采用先进的沟槽式功率MOSFET工艺，确保了低导通电阻和高电流承载能力，从而降低了导通损耗并提高了系统效率。该器件在高频操作下仍能保持良好的稳定性，适用于开关电源和同步整流电路。
其封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，能够有效降低热阻，提高器件在高功率负载下的可靠性。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，可在高压和大电流条件下稳定运行，避免因瞬态过压或过流导致的损坏。
器件的栅极驱动电压范围宽广（±20V），适用于多种驱动电路设计，便于集成到不同的功率管理系统中。其栅极氧化层设计优化，减少了开关损耗，提高了整体能效。同时，PJD50P04_L2_00001具备较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于提升开关速度并降低EMI干扰。
PJD50P04_L2_00001广泛应用于各种功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、马达驱动器以及工业自动化设备中的电源模块。在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电系统、车身控制模块和电动助力转向系统等应用场景。其高可靠性和优异的热管理能力，使其成为要求苛刻的工业和汽车应用的理想选择。
Si4410DY-T1-GE3, IPD50P04P4-03
