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PJD50N04-AU_L2_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 14:26:23 查看 阅读:4

PJD50N04-AU_L2_000A1 是一颗由 Power Integrations(PI)公司推出的集成MOSFET的离线式反激变换器IC,属于其InnoSwitch?系列。该器件将初级侧控制器、同步整流控制器以及反馈机制集成在一个封装中,实现了高效率和高性能的电源转换。该器件适用于高功率密度、高效率要求的AC-DC电源设计,如手机充电器、笔记本适配器、工业电源和家电电源等。

参数

功率等级:高达65W
  输入电压范围:85VAC 至 265VAC
  输出电压调节精度:±3%
  工作频率:约100kHz
  集成MOSFET耐压:725V
  集成MOSFET导通电阻(Rds(on)):典型值为0.52Ω
  封装类型:InSOP-24D
  效率:高达94%
  保护功能:过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压保护(UVLO)、过温保护(OTP)

特性

PJD50N04-AU_L2_000A1 具备多项先进特性,能够显著提升电源系统的效率和可靠性。
  首先,该器件采用Power Integrations独有的FluxLink? 技术,实现初级和次级之间的数字反馈通信,无需传统光耦,从而提高系统的稳定性和寿命。这种技术还允许设计者在宽输入电压范围内保持高精度的输出电压调节。
  其次,该IC内部集成了高压MOSFET和同步整流驱动器,能够减少外围元件数量,简化电路设计,并提升整体效率。其同步整流技术可以有效降低次级整流损耗,从而在高功率密度设计中实现更高的效率。
  此外,PJD50N04-AU_L2_000A1 支持多种工作模式,包括准谐振(QR)模式和不连续导通模式(DCM),以适应不同的负载条件并优化轻载效率。其智能控制算法可动态调整开关频率,以减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  该器件还具备全面的保护功能,包括过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP),确保系统在各种异常情况下都能安全运行。
  最后,其采用的InSOP-24D封装具备良好的热管理和电气隔离性能,适合高可靠性应用场景。

应用

PJD50N04-AU_L2_000A1 主要应用于需要高效率、小体积和高可靠性的AC-DC电源系统中。典型应用包括:
  1. 手机、平板电脑和笔记本电脑的充电适配器;
  2. 工业自动化设备的电源模块;
  3. 家用电器中的电源转换系统,如智能电视、音响系统等;
  4. 医疗设备、安防监控设备等对安全性和稳定性要求较高的电源系统;
  5. 智能家居和物联网设备的供电模块。
  由于其高集成度和优异的效率表现,PJD50N04-AU_L2_000A1 特别适合用于需要满足全球能效标准(如DoE Level VI、CoC Tier 2)的绿色电源设计。

替代型号

PJD50N06-AU_L2_000A1, PJD50N08PA-AU_L2_000A1, INN2901K, INN2903K

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PJD50N04-AU_L2_000A1参数

  • 现有数量2,996现货
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)3,000 : ¥2.93418卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.6A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.5 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1258 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.4W(Ta),64.9W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63