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PJD45N06A_L2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 15:14:38 查看 阅读:30

PJD45N06A_L2_00001是一款由PowerJect(力生美)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高效能、高可靠性的功率转换应用,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):45A
  最大漏源电压(VDS):60V
  导通电阻(RDS(on)):约0.018Ω(典型值)
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)或类似表面贴装封装

特性

PJD45N06A_L2_00001的主要特性包括:
  ? 低导通电阻:该器件的RDS(on)非常低,确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗,提高系统效率。
  ? 高电流承载能力:支持高达45A的漏极电流,适用于高功率密度设计。
  ? 快速开关性能:具备较低的开关损耗,适合高频开关应用,有助于减小功率转换器的尺寸并提升效率。
  ? 良好的热稳定性:采用优化的封装设计和芯片结构,确保在高温环境下稳定运行,并具备优异的热阻性能。
  ? 高可靠性:通过严格的工艺控制和质量检测,保证器件在各种恶劣工作条件下具备长寿命和稳定表现。
  ? 适用于表面贴装:封装形式适合SMT(表面贴装技术)生产线,提高装配效率并降低生产成本。

应用

PJD45N06A_L2_00001适用于多种功率电子设备,包括:
  ? 开关电源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC转换器中的主开关或同步整流器,提高效率并减小体积。
  ? 电池管理系统:用于电池充放电控制、保护电路中的高电流开关元件。
  ? 电机驱动与控制:适用于电动工具、电动汽车和工业自动化中的电机控制电路。
  ? 负载开关:作为高效能的电子开关,用于控制高功率负载的通断。
  ? 电源管理模块:如DC-DC降压或升压模块中的核心功率器件。
  ? 服务器和通信设备电源:在高可靠性、高效率电源系统中提供稳定性能。

替代型号

Si4466ED, IRFZ44N, FDD8880, IPB065N04NG, FDS4559

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PJD45N06A_L2_00001参数

  • 现有数量1,601现货
  • 价格1 : ¥5.88000剪切带(CT)3,000 : ¥2.28761卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)45A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)39 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2256 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)63W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63