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PJD3NA80_L2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 7:23:44 查看 阅读:21

PJD3NA80_L2_00001是一款专为高精度和高可靠性应用设计的电子元器件芯片。该芯片主要用于工业自动化、通信设备以及精密测量仪器中,提供卓越的性能和稳定性。

参数

工作电压:3.3V至5V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TQFP
  引脚数量:144
  最大工作频率:200MHz
  功耗:典型值为1.2W

特性

PJD3NA80_L2_00001芯片具备多种先进特性,使其在复杂环境中表现优异。首先,其宽广的工作电压范围(3.3V至5V)确保了芯片能够在多种电源条件下稳定运行,适用于不同类型的电源管理系统。其次,芯片的工作温度范围达到-40°C至+85°C,使其能够在极端温度环境下正常工作,非常适合工业和户外应用场景。
  此外,该芯片采用144引脚的TQFP封装技术,不仅提供了高密度的引脚布局,还有效减少了PCB板的空间占用,提升了整体设计的灵活性。其最高工作频率可达200MHz,能够支持高速数据处理和实时控制,满足高性能系统的需求。
  在功耗方面,PJD3NA80_L2_00001的典型功耗为1.2W,结合低功耗设计技术,确保在高性能运行的同时保持较低的能耗,适用于对能效要求较高的设备。

应用

PJD3NA80_L2_00001广泛应用于工业自动化控制系统、通信基站设备、精密测量仪器以及高端消费电子产品。其高可靠性和卓越性能使其成为需要长时间稳定运行的设备的理想选择。

替代型号

PJD3NA80_L2_00002, PJD3NA80_L2_00003

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PJD3NA80_L2_00001参数

  • 现有数量0现货
  • 价格不适用于新设计
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)406 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)80W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63