时间：2025/5/31 1:52:14
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CDR33BP202BJZMAT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双路NPN晶体管阵列。该器件采用SOIC-8封装，广泛应用于需要小型化和高密度集成的电路设计中。
这种晶体管阵列集成了两个独立的NPN晶体管，能够有效减少分立元件的数量并优化PCB空间使用。其设计适用于各种信号放大、开关控制以及电流驱动等场景。
类型：双路NPN晶体管阵列
封装：SOIC-8
集电极最大电流：200mA
发射极-基极电压：6V
集电极-发射极击穿电压：50V
功率耗散：400mW
工作温度范围：-55℃至150℃
存储温度范围：-65℃至175℃
CDR33BP202BJZMAT具有以下显著特性：
1. 高度集成：将两个NPN晶体管集成到单一封装中，简化了电路设计。
2. 小型封装：SOIC-8封装适合紧凑型设计，能够节省PCB空间。
3. 宽温度范围：支持从工业级到扩展级的工作温度范围，适用于多种环境条件。
4. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长期稳定运行。
5. 低噪声性能：适合用于对信号质量要求较高的应用场合。
6. 符合RoHS标准：环保且满足国际法规要求。
CDR33BP202BJZMAT主要应用于以下领域：
1. 消费电子：如家用电器中的信号处理与控制。
2. 工业设备：例如自动化控制系统的开关功能。
3. 通信设备：用作信号放大或开关元件。
4. 计算机外设：在打印机、扫描仪等设备中作为接口电路的一部分。
5. 汽车电子：为车载系统提供稳定的电流驱动能力。
CDR33BP202BJZMTR, CDRH33BP202BJZMAT
