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CDR33BP202BJZMAT 发布时间 时间:2025/5/31 1:52:14 查看 阅读:23

CDR33BP202BJZMAT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双路NPN晶体管阵列。该器件采用SOIC-8封装,广泛应用于需要小型化和高密度集成的电路设计中。
  这种晶体管阵列集成了两个独立的NPN晶体管,能够有效减少分立元件的数量并优化PCB空间使用。其设计适用于各种信号放大、开关控制以及电流驱动等场景。

参数

类型:双路NPN晶体管阵列
  封装:SOIC-8
  集电极最大电流:200mA
  发射极-基极电压:6V
  集电极-发射极击穿电压:50V
  功率耗散:400mW
  工作温度范围:-55℃至150℃
  存储温度范围:-65℃至175℃

特性

CDR33BP202BJZMAT具有以下显著特性:
  1. 高度集成:将两个NPN晶体管集成到单一封装中,简化了电路设计。
  2. 小型封装:SOIC-8封装适合紧凑型设计,能够节省PCB空间。
  3. 宽温度范围:支持从工业级到扩展级的工作温度范围,适用于多种环境条件。
  4. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保长期稳定运行。
  5. 低噪声性能:适合用于对信号质量要求较高的应用场合。
  6. 符合RoHS标准:环保且满足国际法规要求。

应用

CDR33BP202BJZMAT主要应用于以下领域:
  1. 消费电子:如家用电器中的信号处理与控制。
  2. 工业设备:例如自动化控制系统的开关功能。
  3. 通信设备:用作信号放大或开关元件。
  4. 计算机外设:在打印机、扫描仪等设备中作为接口电路的一部分。
  5. 汽车电子:为车载系统提供稳定的电流驱动能力。

替代型号

CDR33BP202BJZMTR, CDRH33BP202BJZMAT

CDR33BP202BJZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2000 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-