CDR33BP202BJZMAT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双路NPN晶体管阵列。该器件采用SOIC-8封装,广泛应用于需要小型化和高密度集成的电路设计中。
这种晶体管阵列集成了两个独立的NPN晶体管,能够有效减少分立元件的数量并优化PCB空间使用。其设计适用于各种信号放大、开关控制以及电流驱动等场景。
类型:双路NPN晶体管阵列
封装:SOIC-8
集电极最大电流:200mA
发射极-基极电压:6V
集电极-发射极击穿电压:50V
功率耗散:400mW
工作温度范围:-55℃至150℃
存储温度范围:-65℃至175℃
CDR33BP202BJZMAT具有以下显著特性:
1. 高度集成:将两个NPN晶体管集成到单一封装中,简化了电路设计。
2. 小型封装:SOIC-8封装适合紧凑型设计,能够节省PCB空间。
3. 宽温度范围:支持从工业级到扩展级的工作温度范围,适用于多种环境条件。
4. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保长期稳定运行。
5. 低噪声性能:适合用于对信号质量要求较高的应用场合。
6. 符合RoHS标准:环保且满足国际法规要求。
CDR33BP202BJZMAT主要应用于以下领域:
1. 消费电子:如家用电器中的信号处理与控制。
2. 工业设备:例如自动化控制系统的开关功能。
3. 通信设备:用作信号放大或开关元件。
4. 计算机外设:在打印机、扫描仪等设备中作为接口电路的一部分。
5. 汽车电子:为车载系统提供稳定的电流驱动能力。
CDR33BP202BJZMTR, CDRH33BP202BJZMAT