时间：2025/8/15 1:31:44
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PJD3NA80 是由东芝（Toshiba）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的U-MOS技术，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于需要高电流和高电压能力的电源管理、电机控制和功率转换等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：80A
最大漏-源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ（最大）
栅极电压范围：10V～20V
封装形式：D2PAK
PJD3NA80 的核心特性在于其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统的效率。其先进的U-MOS技术还提供了更小的芯片尺寸，从而在保持高性能的同时减少封装体积。
此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，使其在高温环境下仍能保持稳定运行。PJD3NA80 还具有快速开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
在封装方面，PJD3NA80 采用D2PAK封装，具有较好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。同时，该器件的高可靠性设计使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。
PJD3NA80 主要应用于电源管理系统、电机驱动、DC-DC转换器、电动车控制器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。此外，它也适用于各种需要高电流、高效率的功率电子设备。
TK80E03K, IRF1405, IPD3NA80
