时间：2025/7/10 2:57:36
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CS1206JKNPODBN470 是一款基于陶瓷材料的多层片式电容器（MLCC），适用于高频电路中的信号耦合、滤波和去耦等应用。该型号采用C0G介质，具有高稳定性和低温度漂移特性，适合在需要高精度和高性能的应用场景中使用。
此电容器采用了先进的制造工艺，确保其在宽温度范围内的性能一致性，并且能够承受较高的额定电压。它的小型化设计使其非常适合用于现代电子设备中，尤其是对空间要求严格的便携式设备。
容量：470pF
额定电压：50V
尺寸：1206英寸
介质类型：C0G
温度系数：±30ppm/°C
耐湿等级：Level 1
封装类型：表面贴装
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
CS1206JKNPODBN470 具有以下显著特性：
1. 高稳定性：由于采用C0G介质，这款电容器在宽温度范围内表现出极低的电容变化率，从而保证了电路的稳定性。
2. 低损耗：其具备极低的介质损耗，使得它非常适合高频应用。
3. 高可靠性：通过严格的生产工艺控制，该型号电容器具有出色的长期可靠性，在恶劣环境下也能保持良好的性能。
4. 小型化设计：采用标准1206封装，能够满足现代电子设备对小型化和高密度组装的需求。
5. 宽泛的工作温度范围：能够在-55°C至+125°C之间正常工作，适应多种复杂环境下的应用需求。
CS1206JKNPODBN470 主要应用于以下领域：
1. 滤波器设计：在射频和微波电路中，作为滤波元件来抑制不需要的频率成分。
2. 去耦应用：在电源线路上，用作去耦电容器以减少电源噪声对敏感电路的影响。
3. 耦合与旁路：在信号传输链路中提供有效的耦合或旁路功能。
4. 振荡电路：在振荡器中作为关键元件，帮助维持稳定的频率输出。
5. 数据通信设备：包括路由器、交换机以及其他网络设备中的高频电路部分。
6. 工业自动化：在工业控制系统中，为传感器和其他模块提供稳定的电容支持。
C1206C470J5GACD, GRM21BR61E470JL01D, KEMCAP-C0G-1206-470PF-50V
