时间：2025/8/14 8:07:15
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PJD3NA50_L2_00001是一款由Panasonic（松下）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。这款MOSFET专为高效能和高可靠性而设计，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：3A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220AB
PJD3NA50_L2_00001具有优异的导通性能和快速开关特性，能够在高频条件下稳定工作，从而提高系统效率。该器件采用先进的硅工艺制造，具备低导通电阻和高电流处理能力，有助于减少能量损耗和热量产生。此外，其高耐压能力和优良的热稳定性使其在苛刻的工作环境下也能保持良好的性能。这款MOSFET还具有出色的抗过载和短路保护能力，增强了系统的稳定性和可靠性。
该MOSFET的封装形式为TO-220AB，便于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电子产品。其宽工作温度范围也使其适用于户外和工业环境中的高要求应用。
PJD3NA50_L2_00001主要用于电源转换和电机控制应用，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明系统以及工业自动化设备中的功率开关。其高可靠性和优异的性能使其成为高功率密度和高效率电源系统设计的理想选择。
IXTP3N50P，STW3N50K5，FQP3N50C
