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PJD25N04-AU_L2_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 12:21:59 查看 阅读:6

PJD25N04-AU_L2_000A1 是一款由Power Integrations公司推出的集成式功率MOSFET和驱动器的电源管理芯片,广泛用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。该芯片采用先进的功率集成技术,将功率MOSFET与驱动电路集成于一个封装内,简化了电源设计并提高了系统的可靠性。其设计目标是提供高效率、高集成度以及简化电源转换器的开发流程。

参数

类型:集成MOSFET和驱动器的电源管理芯片
  最大漏极电流:25A
  漏源电压(VDS):40V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为18mΩ
  工作温度范围:-40°C至150°C
  封装类型:表面贴装(SMD)
  频率范围:支持高频操作,最高可达1MHz

特性

PJD25N04-AU_L2_000A1具备一系列先进特性,以提升其在各种电源管理应用中的性能。首先,该芯片集成了一个25A、40V的功率MOSFET和相应的驱动电路,减少了外围元件的数量,从而降低了设计复杂度和电路板空间需求。其次,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流条件下的高效运行,并减少了热损耗。此外,PJD25N04-AU_L2_000A1支持高达1MHz的高频操作,使得设计者可以使用更小的磁性元件和电容器,从而实现更紧凑的电源解决方案。芯片内置的保护功能包括过流保护、过温保护和欠压锁定,确保系统在各种负载条件下的安全运行。最后,该器件采用高效热管理封装,有助于在高功率应用中维持较低的工作温度,从而提高系统的稳定性和寿命。

应用

PJD25N04-AU_L2_000A1主要应用于高效开关电源(SMPS)、DC-DC降压转换器、负载点(POL)电源模块、工业自动化设备电源、LED照明驱动器以及消费类电子产品中的电源管理模块。由于其高集成度和优异的热性能,它也适用于对空间和效率要求较高的便携式设备和嵌入式系统。

替代型号

PJD25N06-AL_L2_000A1, PJD20N06-AL_L2_000A1

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PJD25N04-AU_L2_000A1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.82962卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.9A(Ta),21A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)32 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)425 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.4W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63