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2SB315B-FF800R17KF6 发布时间 时间:2025/8/7 7:58:10 查看 阅读:23

2SB315B-FF800R17KF6是一款由东芝(Toshiba)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率应用。该模块具有高效率、低导通压降和出色的热性能,广泛用于工业变频器、电动汽车和可再生能源系统等领域。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(Vce):1700V
  额定集电极电流(Ic):800A
  封装类型:双列直插式(Dual)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  短路耐受能力:6μs
  导通压降(Vce_sat):约2.5V
  最大功耗:450W

特性

2SB315B-FF800R17KF6具有多项优异的电气和热性能。其高电压和大电流能力使其适用于高功率密度设计。该模块采用了先进的沟槽栅极技术,降低了导通压降,提高了能效。此外,该模块具备良好的短路保护能力,能够在恶劣的工作条件下提供可靠的保护。
  该模块的封装设计优化了热管理性能,使热量能够更有效地散发,从而提高了系统的稳定性和寿命。它还具备良好的绝缘性能,能够有效隔离高电压部分和低压控制电路,确保系统的安全性。
  2SB315B-FF800R17KF6的内部结构采用了模块化设计,便于安装和维护。其紧凑的尺寸和轻量化设计使其适用于空间受限的应用场景,同时减少了系统的整体重量和体积。

应用

该模块广泛应用于工业电机驱动、电动汽车逆变器、太阳能逆变器和储能系统等领域。在工业变频器中,它能够高效地控制电机的转速和扭矩,提高生产效率。在电动汽车中,该模块可用于主逆变器和充电系统,提供高效的动力转换。在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风力发电系统,它可以将直流电转换为交流电,实现高效的能量转换。

替代型号

SKM800GB176D, FS800R17W1E4_B35

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2SB315B-FF800R17KF6参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型单路
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电0V ~ 16V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)-
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块