类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 9.5mΩ @ VGS = 10V
　　阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 3V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

PJD16N06A具有多项优异的电气和热性能特性，适用于多种高功率应用场合。其最大漏极电流可达16A，漏源电压为60V，适合中高压功率转换应用。该MOSFET的导通电阻极低，在VGS = 10V时典型值低于9.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，PJD16N06A的栅源电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，适用于各种开关控制环境。其阈值电压范围为1V至3V，确保了良好的栅极控制灵敏度。
　　在封装方面，PJD16N06A采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理能力，适合表面贴装工艺，适用于自动化的PCB组装流程。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有优异的环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。PJD16N06A还具备出色的短路耐受能力和抗雪崩能力，提升了器件在复杂工况下的可靠性。

PJD16N06A被广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、马达驱动器、电源适配器、LED驱动电源、工业自动化设备以及新能源产品（如太阳能逆变器、电动车控制器等）。由于其低导通电阻和高可靠性，PJD16N06A特别适合需要高效能和紧凑设计的电源系统。在汽车电子中，该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统的电源管理模块。

SiR142DP-T1-GE、AO4406A、FDS6680、FDMS86101