时间：2025/6/27 10:38:43
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NV1206B182K102CEDN 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效率功率转换场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有出色的热性能和电气特性，适合于要求严苛的工业和汽车应用环境。
类型：MOSFET
极性：N沟道
最大漏源电压(Vdss)：120V
连续漏极电流(Id)：63A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
栅极电荷(Qg)：94nC
输入电容(Ciss)：5140pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：D2PAK-7(CE)
NV1206B182K102CEDN 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），能够降低开关损耗并支持高频操作。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 工作温度范围宽广，适应极端环境的应用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 封装坚固可靠，便于散热设计和安装。
这些特性使得 NV1206B182K102CEDN 成为高效率功率转换应用的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 电动车和混合动力汽车中的逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的功率管理单元。
5. 光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节。
6. 高效负载切换和保护电路。
NV1206B182K102CEDN 的高性能使其成为众多功率密集型应用的核心组件。
NV1206B182K102LFDN, IRFB4110PbF, FDP18N12E
