PJD14P10A 时间：2025/8/15 0:32:59 阅读：5

PJD14P10A是一款由PanJit（强茂）公司生产的P沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、低导通电阻的应用场景，适用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等场合。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和可靠性，适合中高功率应用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-14A（@Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤85mΩ（@VGS=-10V）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

PJD14P10A具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。其P沟道结构使其在高端开关应用中无需使用复杂的驱动电路，简化了电路设计。此外，该器件具备较高的电流承载能力，适合用于需要大电流输出的电源系统。
　　该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装（SMT）工艺，提高了生产效率和系统可靠性。其工作温度范围较宽（-55℃至150℃），适用于各种恶劣工作环境。
　　PJD14P10A还具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压和过流，提升了器件在高应力条件下的稳定性与安全性。此外，其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。

应用

PJD14P10A广泛应用于多种电源管理系统中，如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换场合。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电系统、车身控制模块以及电池供电设备。同时，它也适用于通信设备中的电源模块、服务器电源供应器以及UPS不间断电源系统等高性能电源管理应用。