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IRF4905SPBF 发布时间 时间:2025/6/24 7:26:50 查看 阅读:6

IRF4905SPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay生产。该器件采用TO-263封装形式(D2PAK),具有低导通电阻和高开关速度的特性,广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器等领域。其工作电压范围宽,能够承受较高的漏源电压,并且具备较低的栅极电荷,从而有助于提高系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:78A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:33nC
  输入电容:1860pF
  总电容:2400pF
  功耗:240W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF4905SPBF采用了先进的半导体工艺技术,具备以下特点:
  1. 低导通电阻设计,可显著降低功率损耗。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场合。
  3. 较小的栅极电荷,有助于实现高速开关操作。
  4. 耐热性能优异,能够在极端温度条件下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保友好。
  6. 短路保护能力强,提升了整体系统的可靠性。
  这些特性使得IRF4905SPBF成为工业和消费电子领域中高性能功率转换的理想选择。

应用

IRF4905SPBF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  3. 各类电机驱动电路,例如无刷直流电机控制。
  4. 太阳能逆变器中的功率管理部分。
  5. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
  6. 其他需要高效功率处理的场景,如LED照明驱动等。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, STP75NF06L

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IRF4905SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 42A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3500pF @ 25V
  • 功率 - 最大170W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件