PJC7401是一款由PanJit(强茂)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高开关性能,适用于各种高效能和高频率的功率转换应用。
类型:N沟道 MOSFET
漏极电流:4A
漏极-源极电压:30V
栅极-源极电压:20V
导通电阻:85mΩ(最大)
栅极电荷:12nC
工作温度:-55°C至150°C
封装类型:SOT-223
PJC7401具备多项优异特性,包括低导通电阻(Rds(on)),这使得在导通状态下的功率损耗显著降低,从而提高了系统的整体效率。该器件采用先进的沟槽技术,使得其在高频率开关应用中表现出色,能够应对复杂的功率转换需求。
此外,PJC7401的栅极电荷较低,这意味着其驱动电路的设计相对简单,同时有助于降低开关损耗。该器件的最大漏极电流为4A,漏极-源极电压为30V,适合多种中小型功率应用场景,例如DC-DC转换器、电池充电器和负载开关电路。
其SOT-223封装形式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。PJC7401的可靠性较高,工作温度范围广泛(-55°C至150°C),适用于严苛的工业环境。
PJC7401主要应用于电源管理系统,例如DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关控制以及各种中低功率的开关电路。其高效率和低导通电阻特性使其成为高性能电源设计中的理想选择,特别是在需要高可靠性和紧凑布局的电子设备中,如工业控制设备、消费类电子产品和通信设备。
Si2301DS, AO3400, IRF7401