PJC7400是一款由PanJit(强茂)公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源管理和功率控制应用中。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适合高效能、高频率开关应用。PJC7400通常封装在TO-252(DPAK)封装中,适用于表面贴装技术(SMT),便于在紧凑的PCB布局中使用。
类型:N沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):最大值 0.023Ω(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):30W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装:TO-252(DPAK)
PJC7400具有多个优异的电气和热性能特点,确保其在高要求的功率应用中表现出色。
首先,该器件具有极低的导通电阻(RDS(on)),最大值为0.023Ω,当栅极电压为10V时。这种低RDS(on)特性显著降低了导通损耗,提高了系统效率,尤其适用于电池供电设备和高效电源转换器。
其次,PJC7400的漏极电流能力为10A,具备较高的电流承载能力,能够满足中等功率应用的需求。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V的VGS电压,使其兼容多种驱动电路,包括常见的3.3V和5V控制系统。
热性能方面,PJC7400采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能,确保在高功率操作下仍能保持较低的工作温度。其最大功率耗散为30W,适用于需要较高功率处理能力的应用场景。
可靠性方面,PJC7400具备较高的耐用性和稳定性,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内工作,适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。
PJC7400因其优异的电气性能和封装特性,被广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)、电源管理模块以及汽车电子系统等。
在DC-DC转换器中,PJC7400可作为高边或低边开关,实现高效的电压转换,尤其适用于降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构。其低RDS(on)和高电流能力有助于降低导通损耗,提高转换效率。
在电池管理系统中,PJC7400可用于电池充放电控制、过流保护和负载切换,其高可靠性和低功耗特性有助于延长电池使用寿命。
此外,在汽车电子应用中,如车身控制模块、车载充电器和电动工具驱动电路中,PJC7400也能提供稳定的功率控制能力,满足汽车环境对电气性能和稳定性的严苛要求。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, AO4406A, IPD90N03S4-03