时间：2025/8/14 15:16:49
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PJA3472B T/R是一款由Panasonic公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和高耐用性等特点。PJA3472B T/R适用于工业自动化设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等多种应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.5A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：70mΩ（最大值）
功耗（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-23
PJA3472B T/R采用了Panasonic先进的沟槽结构MOSFET技术，使其在低导通电阻方面表现出色，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。其70mΩ的最大导通电阻确保了在大电流条件下也能保持较低的功率消耗。此外，该MOSFET具有高达6.5A的连续漏极电流能力，适用于中高功率应用。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种常见的驱动电路设计，同时也提高了其在不同应用中的适应性。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，适合高密度电路设计，同时具备良好的热管理能力。
此外，PJA3472B T/R的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端温度条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境条件。
PJA3472B T/R常用于各类电源管理电路中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路等。其高可靠性和优异的电气性能也使其适用于工业自动化设备、通信设备以及消费类电子产品中的功率控制部分。
Si2302DS, FDS6675, AO3400
