MR1130R 是一款由 Melexis 公司推出的单线性霍尔效应传感器集成电路(IC),专为高精度、非接触式位置和位移测量应用而设计。该器件采用先进的混合信号 CMOS 技术,具备高分辨率和线性输出,适用于汽车、工业自动化和消费电子等多种领域。MR1130R 的核心功能是将磁场强度转换为成比例的电压输出,从而实现对位置、角度或位移的精确检测。
工作电压:2.7V 至 5.5V
输出类型:模拟电压输出
灵敏度:1.2 mV/Gauss(典型值)
线性范围:±1200 Gauss
静态输出电压:电源电压的一半(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:SOT23-5
MR1130R 的主要特性之一是其高线性度和低温度漂移性能,这使其能够在各种环境条件下保持稳定的测量精度。该器件内置温度补偿电路,能够在不同温度下维持输出信号的稳定性,从而提高系统的可靠性。
此外,MR1130R 具有宽广的工作电压范围(2.7V 至 5.5V),使其适用于多种电源配置,并提高了在不同系统中的兼容性。模拟电压输出可以直接与微控制器或其他模拟信号处理电路接口,无需额外的模数转换器(ADC),降低了系统复杂性和成本。
该器件采用 SOT23-5 小型封装,适用于空间受限的设计,并具有良好的抗电磁干扰(EMI)能力,确保在工业和汽车环境中稳定运行。同时,MR1130R 的内部电路设计优化了功耗,适合低功耗应用场合。
MR1130R 主要用于需要高精度磁场检测和线性测量的应用场合。常见的应用包括汽车中的踏板位置检测、节气门位置传感、方向盘转角测量等。由于其高精度和稳定性,MR1130R 也广泛应用于工业自动化设备中的线性位移测量、角度检测以及无刷直流电机的换向控制。
在消费电子领域,MR1130R 可用于触控笔的位置检测、滑盖手机的滑动检测等应用场景。此外,该器件还适用于医疗设备中的非接触式位置传感,如输液泵的活塞位置监测等。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力,MR1130R 也适合用于恶劣环境下的工业传感器系统。
MLX90248, HAL 1001, U5113