时间：2025/8/15 14:12:21
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PJA3415AE-AU是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和各种电源控制电路。其封装形式为SOT26，体积小巧，便于在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：3.6A（最大）
漏极-源极电压（Vds）：20V
栅极-源极电压（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：SOT26
PJA3415AE-AU具有出色的导通性能和低功耗特性，能够在高频开关条件下保持高效运行。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率，并降低发热。该MOSFET采用了先进的沟槽结构设计，确保了良好的热稳定性和可靠性。此外，PJA3415AE-AU的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路配置，便于设计和优化。SOT26封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，适合在便携式设备和高密度电路中使用。器件内部结构优化，具有良好的短路和过载保护能力，提高了系统的安全性。
PJA3415AE-AU广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池充电和管理系统、LED照明驱动电路以及各种低电压高效率电源模块。其小封装特性也使其适合用于移动设备、智能穿戴设备、物联网设备等对空间要求较高的应用。
Si2302DS, BSS138K, 2N7002K
