PJA3406 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于中高功率开关应用。该器件采用先进的 Trench 工艺制造,具备低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优异的热稳定性。PJA3406 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用领域。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A(在 Tmb = 25°C 时)
导通电阻 Rds(on):最大 9.5mΩ(在 Vgs = 10V 时)
阈值电压 Vgs(th):1V~3V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
PJA3406 具备多项优异特性,使其适用于各种高效率功率转换和控制应用。其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件采用 Trench 工艺,具有较高的电流密度和良好的热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,支持标准逻辑电平驱动(如 4.5V 至 10V),兼容多种控制 IC 和微处理器输出。此外,PJA3406 具备较强的雪崩能量承受能力,增强了在电感负载切换过程中的可靠性。
由于其采用 TO-252(DPAK)封装,PJA3406 具有较好的散热性能,适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度 PCB 布局。其封装材料符合 RoHS 和 REACH 环保标准,适用于绿色电子制造。
综合来看,PJA3406 是一款性能稳定、功耗低、适用范围广的功率 MOSFET,适合用于各种中高功率电子系统。
PJA3406 广泛应用于多种功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、负载开关和热插拔控制器等。在汽车电子中,它常用于车身控制模块、车载充电器和电池保护电路。此外,PJA3406 也适用于工业自动化设备、智能家电、UPS 电源以及 LED 照明驱动电路。
SiSS20DN、IRF3205、AO4406、FDMS86101、BSC016N03LS