容量：8 Mbit
　　组织结构：1 M x 8位
　　电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：48引脚TSOP
　　接口类型：并行异步接口
　　编程电压：内部产生，无需外部高压
　　

TE28F800B5-T90具备出色的可靠性和稳定性，支持高密度的代码和数据存储。
　　该芯片采用了Intel先进的闪存技术，确保了优异的读写性能和较长的使用寿命。
　　它支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　此外，TE28F800B5-T90内置了硬件数据保护功能，防止意外写入和擦除操作，提升了数据安全性。
　　该芯片还支持软件控制的块擦除和写入操作，用户可以根据需求灵活管理存储区域。
　　由于其兼容性强，TE28F800B5-T90可以轻松替代其他标准NOR闪存芯片，降低了系统设计的复杂度。
　　该器件还具备自动休眠模式，能够在不使用时自动进入低功耗状态，进一步优化功耗表现。

TE28F800B5-T90广泛应用于需要高性能、非易失性存储解决方案的嵌入式系统中。
　　例如，在工业自动化设备中，该芯片可用于存储控制程序和关键数据。
　　在汽车电子领域，TE28F800B5-T90常用于车载信息娱乐系统、发动机控制单元等模块。
　　通信设备如路由器、交换机等也常采用该芯片用于存储固件和配置信息。
　　此外，该芯片还可用于医疗设备、消费电子产品和安防系统等场景。
　　由于其高可靠性和宽温工作范围，TE28F800B5-T90特别适合在恶劣环境条件下运行的设备使用。

S29AL008J1DHF003, M29W800EB-90N1