时间：2025/8/15 1:50:55
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PJA3402 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高电流和高频率操作的场景。PJA3402 通常采用 SOT-223 封装，这使其在空间受限的设计中具有良好的适用性。由于其出色的性能和可靠性，PJA3402 被广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：37mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-223
PJA3402 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 仅为 37mΩ，使得该器件能够在高负载条件下保持较低的温升。此外，PJA3402 的最大漏极电流为 6A，能够在中高功率应用中提供稳定的电流传输能力。其 30V 的漏源击穿电压使其适用于多种低压电源管理系统，例如笔记本电脑、移动设备和电源适配器。
另一个显著特点是其热性能优化。SOT-223 封装设计具有良好的散热能力，能够有效将热量传导到 PCB 板上，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有利于提高开关速度并降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。
PJA3402 还具有较高的栅极电压耐受能力，最大栅极电压为 ±20V，这为设计人员提供了更大的设计余量，并提高了在瞬态电压情况下的稳定性。此外，其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适用于各种工业和消费类应用环境。
PJA3402 由于其高性能和紧凑封装，被广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为高边或低边开关，用于升压、降压或反相拓扑结构，提高转换效率并减小电路尺寸。在电池管理系统中，PJA3402 可用于充放电控制电路，实现对电池电流的高效管理。
该器件也常用于负载开关电路，例如便携式设备中的电源管理模块，用于控制不同功能模块的供电，从而优化系统功耗。此外，在电机驱动电路中，PJA3402 可作为 H 桥的开关元件，实现对直流电机的速度和方向控制。
在 LED 照明系统中，PJA3402 可用于 PWM 调光电路，提供精确的电流控制，提高照明系统的能效和寿命。此外，由于其良好的热稳定性和较高的电流能力，PJA3402 也适用于电源适配器、USB PD 快速充电器、智能电表和工业自动化设备等应用领域。
SI2302, AO3400, FDN340P, NTD14N03RT
