时间：2025/9/2 2:28:56
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H9TU32A4GDMCLR-KGM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，专为移动设备和高性能嵌入式应用设计。这款芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具有较高的存储密度和较快的数据存取速度，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的便携式电子设备。
容量：4GB（32Gb）
类型：DRAM（LPDDR4X）
封装：BGA
电压：1.1V
频率：2133MHz
数据速率：4266Mbps
数据宽度：16位
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
工艺技术：1x nm工艺
H9TU32A4GDMCLR-KGM 是一款高性能、低功耗的LPDDR4X SDRAM芯片，其设计目标是为移动设备和嵌入式系统提供高带宽和低功耗的内存解决方案。该芯片基于LPDDR4X标准，相比前代LPDDR4在功耗上有了进一步的降低，同时数据传输速率显著提升，达到了4266Mbps，能够满足高分辨率显示、高性能计算和多任务处理的需求。
芯片采用1x纳米级制造工艺，使得存储密度更高，同时降低了芯片的功耗和发热量。其1.1V的核心电压设计使其在运行过程中更加节能，适合电池供电设备长时间使用。
此外，H9TU32A4GDMCLR-KGM 采用16位宽的I/O接口，支持多路复用和突发传输模式，从而提升了数据吞吐能力。其BGA封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在高密度PCB设计中使用。
该芯片还支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power-Down）等，可以根据系统需求灵活切换，从而进一步延长设备的电池续航时间。同时，其支持的温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的环境条件。
H9TU32A4GDMCLR-KGM 广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中，如高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备、便携式医疗设备以及智能穿戴设备等。其高带宽、低功耗和小封装尺寸的特性使其非常适合对性能和功耗都有较高要求的便携式电子产品。
H9HU46A3JDMCLR-KGM, H9HK46DB0MUMR-NEC, H9TQ17A8GDMCNY-KGM
