制造商: Renesas Electronics
　　类型: LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率范围: 1.8GHz - 2.2GHz
　　输出功率: 750W（典型值）
　　增益: 32dB（典型值）
　　效率: 65%以上（典型值）
　　漏极电压: 最大65V
　　输入阻抗: 50Ω
　　封装类型: 空气腔封装
　　热阻: 0.25°C/W（典型值）

RF3374SB的核心特性之一是其高效的功率输出能力，能够在1.8GHz至2.2GHz的高频范围内提供高达750W的输出功率。这种高功率输出能力使其非常适合用于基站、广播发射器和工业射频应用。
　　此外，该晶体管具备高达32dB的增益，确保了信号放大过程中的高线性度和低失真。这使得RF3374SB在需要高质量信号传输的应用中表现出色。
　　该器件采用了先进的LDMOS技术，这种技术在射频功率放大领域具有显著优势，包括高效率、高线性度和良好的热稳定性。LDMOS晶体管的这些特性使其在现代通信系统中广泛使用。
　　RF3374SB的封装设计也经过优化，采用空气腔封装以提供良好的散热性能。其热阻为0.25°C/W，能够有效将热量从芯片传导到散热器，从而保证器件在高功率条件下的稳定运行。
　　该晶体管的输入阻抗为50Ω，与常见的射频系统匹配良好，减少了信号反射和损耗，提高了整体系统的性能。此外，其漏极电压最大可达65V，为设计提供了更大的灵活性，并提高了在高功率应用中的稳定性。

RF3374SB主要应用于需要高功率和高频的场景，如蜂窝通信基站、广播发射器、射频测试设备和工业加热设备。在蜂窝通信中，它可用于功率放大器模块，以增强信号传输距离和稳定性。在广播系统中，RF3374SB可用于FM和电视广播发射器，提供高效的射频功率输出。此外，它还可以用于射频测试设备，如信号发生器和功率放大器，以满足实验室和工业测试需求。在工业加热应用中，该晶体管可以用于射频能量的精确控制和传输，满足特定的加热需求。

RF3374S、RF3374、RF3374SM