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PIO73-471KT 发布时间 时间:2025/12/28 1:20:36 查看 阅读:13

PIO73-471KT是一款多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的滤波、去耦、旁路和储能等应用。该器件由知名被动元器件制造商生产,具有高可靠性、小尺寸和优良的电气性能,广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及汽车电子系统中。PIO73系列属于温度补偿型电容器,采用C0G(NP0)电介质材料,具备极佳的温度稳定性和频率稳定性,适用于对电容值精度和稳定性要求较高的场景。该型号的封装尺寸通常为0805(2012公制),额定电压为50V DC,标称电容值为470pF(即471表示47×101 pF),容差一般为±10%。由于其低损耗、高Q值和几乎为零的电容漂移特性,PIO73-471KT常被用于射频(RF)匹配网络、振荡器电路、定时电路以及精密模拟信号处理路径中。该产品符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿性和焊接可靠性,适合自动化贴片生产工艺。在高温高湿环境下仍能保持稳定的电气性能,是高频和高稳定性需求场合的理想选择之一。

参数

类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
  电容值:470pF(471K)
  容差:±10%
  额定电压:50V DC
  电介质材料:C0G(NP0)
  温度系数:0±30ppm/℃
  工作温度范围:-55℃ ~ +125℃
  封装尺寸:0805(2.0mm × 1.25mm)
  端接类型:镍障层电极,覆锡(Ni-Sn)
  耐焊热性:满足JEDEC J-STD-020标准
  绝缘电阻:≥10000MΩ或R×C≥500S
  ESR(等效串联电阻):极低
  应用场景:高频、高温稳定电路

特性

PIO73-471KT所采用的C0G(也称NP0)电介质材料赋予了其卓越的温度稳定性,其电容值在整个工作温度范围内(-55℃至+125℃)的变化不超过±30ppm/℃,这意味着在极端温度变化下,电容值几乎不会发生漂移,确保电路参数的长期稳定。这一特性使其非常适合用于高精度振荡器、压控振荡器(VCO)、锁相环(PLL)滤波器以及射频匹配网络等对频率稳定性要求极高的场合。此外,C0G材质还具有极低的介质损耗(tanδ ≤ 0.15%),即使在高频条件下也能保持很高的品质因数(Q值),从而减少信号衰减和能量损失,提升系统效率。
  该电容器的结构设计采用了先进的多层叠膜工艺,使得在微小的0805封装内实现了可靠的470pF电容值。这种高密度集成不仅节省了PCB空间,还降低了寄生电感,有助于提升高频响应性能。同时,其端电极为镍阻挡层加锡覆盖结构,具备良好的可焊性和抗迁移能力,能够有效防止银离子迁移导致的短路问题,延长使用寿命。在机械强度方面,该器件经过优化设计,具有较强的抗弯曲和热冲击能力,适用于回流焊工艺,并能在多次热循环后保持性能稳定。
  PIO73-471KT还表现出优异的电压系数稳定性,即在不同直流偏置电压下电容值基本不变,这与X7R、X5R等高介电常数材料的MLCC形成鲜明对比。后者在施加电压时电容值可能下降超过50%,而C0G材质则无此缺陷,确保了电路设计的一致性和可预测性。此外,该器件无压电效应,不会因机械应力产生噪声电压,因此在低噪声放大器、传感器接口和精密测量设备中尤为适用。整体而言,PIO73-471KT是一款高性能、高可靠性的温度补偿型电容,适用于各种严苛环境下的关键信号路径。

应用

该电容器广泛应用于需要高频率稳定性和温度稳定性的电子电路中。典型应用包括射频(RF)前端模块中的阻抗匹配网络,如天线调谐、功率放大器输出匹配和接收机输入滤波等,其中电容值的微小偏差都会影响系统性能,因此必须使用C0G/NP0级别的器件。此外,在各类振荡电路中,例如晶体振荡器、LC振荡器和SAW滤波器旁路电路中,PIO73-471KT可提供精确且稳定的电容支持,确保频率输出的准确性与长期稳定性。
  在模拟信号链设计中,该器件常用于有源滤波器、积分器、微分器和ADC/DAC参考电压旁路等环节,凭借其低失真和低噪声特性,有助于提高信号完整性。在高速数字系统中,虽然大容量去耦通常由X7R或X5R电容承担,但针对敏感模拟电源引脚(如PLL电源、VCO调谐电压源),仍需使用C0G电容进行精细去耦,以避免噪声干扰。
  工业控制和汽车电子领域也是其重要应用方向。例如,在车载信息娱乐系统、雷达传感器和ECU模块中,面对宽温变化和振动环境,PIO73-471KT的稳定性和可靠性显得尤为重要。此外,医疗电子设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中,因其对精度和长期稳定性要求极高,也普遍采用此类电容器。总之,凡是对电容稳定性、线性度和低损耗有严格要求的应用场景,PIO73-471KT都是理想的选择。

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