时间：2025/12/28 1:59:05
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PIO52-1R1MT是一款由Littelfuse公司生产的高效率、集成化的瞬态抑制二极管阵列（TVS Array）器件，专为保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及雷击感应等瞬态电压冲击而设计。该器件属于PolyZen?系列产品，结合了齐纳二极管与多层陶瓷技术的优势，能够在极短时间内响应过压事件，并将多余能量安全泄放到地，从而有效保护下游集成电路。PIO52-1R1MT采用紧凑型表面贴装封装，适用于空间受限的高密度PCB布局，广泛应用于便携式消费类电子产品、工业控制接口、通信模块及汽车电子系统中。
该器件的核心功能是提供双向过压保护，支持正负方向的瞬态电压钳位，确保信号线或电源线路在遭受突发性高压脉冲时仍能维持稳定工作。其低动态电阻和快速响应时间（通常在皮秒级）使其能够应对高达±30kV的空气放电ESD事件，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准要求。此外，PIO52-1R1MT具备较低的工作漏电流和电容特性，对高速信号传输的影响极小，适合用于USB、HDMI、SD卡接口等高频数据线路的防护。
产品类型：TVS二极管阵列
通道数：1
工作电压：1.1V
反向关断电压（VRWM）：1.1V
击穿电压（VBR）：典型值1.3V @ 1mA
最大钳位电压（VC）：4V @ IPP
峰值脉冲电流（IPP）：最大1.5A
ESD耐受能力：±30kV（IEC 61000-4-2）
电容值：典型值0.8pF @ 1MHz
漏电流：最大1μA @ 1.1V
响应时间：<1ps
封装形式：DFN-2（超小型表面贴装）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PIO52-1R1MT具备卓越的瞬态抑制性能，能够在极短时间内检测并响应电压突变，提供可靠的双向保护机制。其核心结构采用先进的齐纳-隧道结技术，结合低寄生参数设计，在保证极高响应速度的同时，显著降低钳位电压水平，避免因过高的残压导致后级IC损坏。这种低钳位电压特性使得该器件特别适用于低压逻辑电路（如1.1V供电的微控制器、传感器接口）的防护，即使在瞬态事件发生时也能维持系统稳定性。
该器件具有极低的结电容（典型值仅为0.8pF），几乎不会引入信号失真或延迟，因此非常适合用于高速差分信号线路或射频前端模块的ESD防护。此外，其微小的DFN-2封装不仅节省PCB空间，还优化了热传导路径，提升了长期运行的可靠性。在高温环境下，器件仍能保持稳定的电气特性，适用于严苛工业和车载应用场景。
另一个关键优势是其优异的循环寿命和能量吸收能力。相比传统聚合物或陶瓷类保护元件，PIO52-1R1MT可承受数千次ESD冲击而不发生性能退化，极大延长了终端产品的使用寿命。同时，其低漏电流特性（最大1μA）有助于降低待机功耗，满足绿色节能设计需求，尤其适合电池供电设备。集成化的设计也减少了外围元件数量，简化了电路布局，提高了整体系统的抗干扰能力和制造良率。
主要用于需要高精度、低电压保护的电子系统中，例如移动智能终端中的摄像头模组、指纹识别传感器、近场通信（NFC）天线接口等微弱信号通道的ESD防护。在工业自动化领域，可用于PLC输入输出端口、现场总线通信线路的瞬态抑制。此外，在汽车电子中，该器件可部署于车载信息娱乐系统的音频/视频接口、CAN FD总线节点以及ADAS传感器供电线路，以提升整车电磁兼容性和环境适应性。其他适用场景还包括医疗监测设备、物联网无线模块（如Wi-Fi/BT/Zigbee）、可穿戴设备的充电管理单元等对空间和功耗高度敏感的应用场合。
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"PIOM1-1R1",
"SL05TU",
"TPD1E101U04"
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