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PIO42-8R2MT 发布时间 时间:2025/12/28 1:39:23 查看 阅读:9

PIO42-8R2MT是一款由Littelfuse公司生产的高可靠性、单向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,专为保护敏感电子设备免受瞬态电压冲击和静电放电(ESD)损坏而设计。该器件采用紧凑的表面贴装封装(SMC,也称DO-214AB),具备优良的浪涌吸收能力和快速响应特性,适用于多种工业、通信及消费类电子产品中的电源线或信号线保护场景。PIO42-8R2MT的命名中,“PIO”代表其为PolyZen系列以外的保护器件,“42”表示其设计用于42V系统,“8R2”代表钳位电压约为8.2V,“MT”则标识其封装形式为SMC。该器件集成了多个TVS二极管结构,能够在短时间内承受高能量的浪涌事件,如IEC61000-4-2规定的±30kV空气放电和接触放电等严苛测试条件,确保被保护电路在恶劣电磁环境下的稳定运行。此外,PIO42-8R2MT具有低漏电流、低动态电阻和稳定的击穿电压特性,使其成为中等功率等级下可靠的过压保护解决方案之一。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管阵列
  极性:单向
  反向关态电压(VRWM):7V
  击穿电压(VBR):最小8.2V,典型值8.8V,最大9.5V
  钳位电压(VC):14.4V @ IPP = 1.8A
  峰值脉冲电流(IPP):18.5A(8/20μs波形)
  峰值脉冲功率(PPPM):265W(8/20μs)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  封装:SMC(DO-214AB)
  引脚数:2
  安装类型:表面贴装(SMD)
  响应时间:皮秒级
  ESD耐受能力:±30kV(IEC61000-4-2 Level 4)

特性

PIO42-8R2MT具备卓越的瞬态过压保护性能,其核心优势在于高效的能量吸收能力和极快的响应速度。该器件基于硅PN结雪崩击穿原理工作,在正常工作电压下呈现高阻态,漏电流极低(通常小于1μA),不会对被保护线路造成负载效应;一旦线路中出现超过其击穿电压的瞬态过压事件,如雷击感应、开关噪声或人体静电放电,器件会迅速进入低阻导通状态,将瞬态电流引导至地,从而将电压钳制在安全范围内,防止后级集成电路受损。其钳位电压仅为14.4V,在承受高达18.5A的8/20μs标准浪涌电流时仍能保持系统稳定性,体现出优异的保护能力。
  该器件采用SMC封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)使其可在极端环境条件下可靠运行,广泛应用于户外设备、工业控制系统以及汽车电子外围接口等对可靠性要求较高的场合。此外,PIO42-8R2MT符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品绿色环保的设计需求。由于其单向结构设计,特别适用于直流电源线路保护,例如5V、3.3V或12V供电总线,能够有效抑制来自电源端的正向浪涌电压。整体而言,该TVS二极管阵列以其高可靠性、强抗干扰能力和长期稳定性,成为电子系统中不可或缺的保护元件之一。

应用

PIO42-8R2MT主要用于各类需要瞬态过压和静电放电防护的电子电路中,尤其适用于直流电源输入端口的保护。常见应用场景包括工业控制设备的电源模块,用于抵御工厂环境中因继电器切换或电机启停引起的电感性负载反冲电压;通信基站和网络设备的供电接口,防止雷击感应或电网波动导致的瞬态高压侵入;消费类电子产品如机顶盒、路由器、智能家电的外部电源适配器连接处,提升产品在用户插拔过程中的抗ESD能力。
  此外,该器件也常用于汽车电子系统的辅助电源线路保护,例如车载信息娱乐系统、传感器供电轨或ECU外接接口,以应对车辆启动瞬间的电压突变或负载突降(Load Dump)产生的浪涌能量。在医疗电子设备中,为保证信号采集精度和患者安全,PIO42-8R2MT可用于前端模拟信号调理电路的电源隔离保护,避免外部干扰通过电源耦合进入敏感测量单元。其高耐压等级和紧凑封装也使其适用于太阳能逆变器、LED驱动电源等新能源领域中的控制电路保护。总之,任何存在潜在瞬态电压威胁的直流供电路径均可考虑采用PIO42-8R2MT作为第一道防线,保障系统长期稳定运行。

替代型号

[
   "P6KE8.2A",
   "SMAJ8.2A",
   "TPSMAJ8.2A",
   "ESD9X8.2A",
   "SP1012-04ST"
  ]

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