时间：2025/9/14 6:02:58
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PIMT1,115 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。这款 MOSFET 的设计使其适用于各种开关应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。PIMT1,115 采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和电气性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：18A
漏源电压 (VDS)：100V
栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：0.105Ω @ VGS = 10V
功率耗散 (PD)：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
PIMT1,115 MOSFET 具有低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗较低，提高了整体效率。其高电流承载能力和高击穿电压特性使其非常适合用于高功率密度设计。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。TO-220 封装提供了优良的散热性能，有助于延长器件的使用寿命和提高系统的可靠性。该 MOSFET 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，从而进一步提升了系统的效率。这些特性共同作用，使得 PIMT1,115 成为电源管理和电机控制应用的理想选择。
应用领域包括但不限于：开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和功率放大器。
PIMT1,115 常用于需要高效能功率管理的场合，如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器和功率放大器等应用。
IRFZ44N, FDPF18N50
