PIMN31,115 时间：2025/9/14 19:46:00 阅读：10

PIMN31,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合使用。其封装形式为 DFN2020-6（也称为 LFPAK56 或类似的功率封装），有助于提高散热性能并减小 PCB 占用空间。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：10A（在VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大为 11.5mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 17nC
　　最大功耗（PD）：4.2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：DFN2020-6（LFPAK56）

特性

PIMN31,115 采用 Nexperia 的 Trench MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件在高频开关应用中表现出色，具备快速开关速度和低开关损耗，适用于现代高效率电源转换系统。此外，该 MOSFET 的封装设计优化了热管理性能，能够在有限的 PCB 空间内实现良好的散热效果，提高整体系统的可靠性和寿命。PIMN31,115 还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬态过载和极端工作条件。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，在 4.5V 至 20V 之间均可正常工作，适合使用常见的栅极驱动器进行控制。其低栅极电荷（Qg）也有助于减少驱动损耗，提高开关速度。此外，PIMN31,115 在不同工作温度下仍能保持稳定的电气性能，适用于高温环境下的应用。

应用

PIMN31,115 常用于各种电源管理与功率控制电路中，包括同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器、电源适配器以及 LED 照明驱动器等。由于其高效的导通特性和良好的热性能，它特别适用于紧凑型、高密度电源设计。此外，它也适用于需要高可靠性和稳定性的工业自动化设备、汽车电子系统以及便携式电子产品。