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IRFHM9331TRPBF 发布时间 时间:2025/4/28 18:19:40 查看 阅读:28

IRFHM9331TRPBF 是一款由 Vishay International Rectifier 生产的 N 沣道艼沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,适用于高频和高效率的应用场景,例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等。该芯片以其低导通电阻和快速开关特性而著称,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  这款 MOSFET 在设计上注重高温环境下的稳定性和可靠性,其漏源极电压 Vds 额定值为 30V,连续漏极电流 Id 可达 46A(在特定条件下),使其非常适合于中高功率应用。

参数

型号:IRFHM9331TRPBF
  封装:TO-252 (DPAK)
  漏源电压 Vds:30V
  连续漏极电流 Id:46A
  栅极阈值电压 Vgs(th):2.7V 至 4.2V
  导通电阻 Rds(on):2.8mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗 Ptot:115W
  工作温度范围 Tj:-55°C 至 175°C

特性

IRFHM9331TRPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效能电源转换应用。
  3. 较高的连续漏极电流(Id)和峰值脉冲漏极电流能力,满足大功率需求。
  4. 高温性能出色,能够在高达 175°C 的结温下正常工作,适用于严苛环境。
  5. 小型化封装 TO-252 提供良好的热管理和板级空间节省优势。
  6. 内置反向二极管,进一步优化了电路设计的灵活性和效率。

应用

IRFHM9331TRPBF 广泛应用于多种电力电子领域,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换阶段。
  2. DC-DC 转换器,用于汽车电子、通信设备及工业控制等领域。
  3. 电动机驱动,特别是在需要高性能和低能耗的场合。
  4. 负载切换和保护电路,如电池管理系统中的应用。
  5. 逆变器和 UPS 系统,提供高效的功率输出。
  6. 其他需要高效率、高频工作的功率管理场景。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, IRFR3206TRPBF

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IRFHM9331TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 11A,20V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1543pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVQFN
  • 供应商设备封装PQFN(3x3)
  • 包装带卷 (TR)