产品类型：功率电感器
　　封装尺寸：3.2mm x 2.5mm x 1.0mm
　　电感值：3.3μH
　　额定电流：1.8A
　　直流电阻（DCR）：68mΩ（最大）
　　自谐振频率（SRF）：55MHz（最小）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　磁芯材料：金属合金粉末
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　屏蔽类型：半屏蔽结构
　　饱和电流（Isat）：2.3A（电感下降30%）
　　温升电流（Irms）：1.8A（温升40°C）

PIFE32251T-R33MS功率电感器采用先进的金属合金粉末磁芯技术，这种材料不仅具备高磁导率和优异的磁通密度特性，还能有效抑制高频下的涡流损耗，从而提升整体转换效率。其核心设计优化了磁路闭合路径，减少了外部漏磁现象，增强了对邻近元件的电磁兼容性（EMC）。该电感器的半屏蔽结构在保持较低电磁辐射的同时，兼顾了小型化与高性能之间的平衡，使其在密集布线环境中表现出色。
　　在电气性能方面，PIFE32251T-R33MS具有低直流电阻（DCR），典型值仅为68mΩ，这显著降低了导通期间的能量损耗，尤其在大电流输出场景下可有效减少发热问题，延长系统寿命。其额定电感值为3.3μH，在宽频范围内保持良好的阻抗特性，适用于开关频率高达数MHz的DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost及Buck-Boost电路。此外，该器件拥有较高的饱和电流（Isat）和温升电流（Irms）指标，分别达到2.3A和1.8A，意味着它可以在接近极限负载条件下依然维持稳定工作，避免因磁芯饱和导致的电感骤降和系统失控风险。
　　PIFE32251T-R33MS还具备出色的温度稳定性，即使在+125°C的高温环境下也能保持关键参数不发生显著漂移。其端电极采用多层镍/锡镀层工艺，增强了焊接可靠性和抗环境应力能力，防止因热循环或机械振动引发的开裂或脱落。整体结构坚固耐用，通过了严格的机械冲击和振动测试，适用于车载电子、工业控制等严苛应用场景。由于其标准化的小型化封装，该电感器完全兼容自动贴片机和回流焊工艺，有利于大规模生产中的良率控制和成本优化。

PIFE32251T-R33MS广泛应用于各类需要高效电源管理的电子系统中。在移动终端领域，常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的主电源轨DC-DC转换器，作为储能元件参与电压调节过程，确保处理器、内存和其他核心模块获得稳定供电。在笔记本电脑和超极本中，该电感器被集成于CPU/GPU供电电路中，配合PWM控制器实现动态电压调节（DVFS），以适应不同负载状态下的功耗需求。
　　在通信基础设施方面，PIFE32251T-R33MS可用于基站电源模块、光模块供电单元以及路由器和交换机的内部电源转换电路，提供高效的能量传输路径。其低噪声特性和良好EMI表现有助于满足通信设备严格的电磁兼容标准。在消费类家电如智能电视、机顶盒和音响系统中，该器件同样发挥重要作用，尤其是在待机电源和主控芯片供电部分，帮助实现节能目标并提升整机能效等级。
　　此外，该电感器也适用于工业自动化设备、医疗电子仪器以及部分轻型电动汽车的辅助电源系统。例如，在PLC控制器、传感器节点或人机界面（HMI）设备中，PIFE32251T-R33MS能够为微控制器单元（MCU）和接口电路提供干净稳定的电源。其高可靠性设计使其能够在较宽温度范围和复杂电磁环境中持续运行，满足工业级应用的需求。随着电子产品向更高集成度和更低功耗方向发展，PIFE32251T-R33MS凭借其综合性能优势，已成为现代电源设计中的优选磁性元件之一。

SLF32251T-3R3MR33|VLS322510ET-3R3M