SI3400 时间：2025/7/8 23:05:39 阅读：10

SI3400是一款由Siliconix（现为Vishay公司旗下品牌）生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了TrenchFET? Gen II技术，具有低导通电阻和高开关效率的特点，非常适合用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理电路等。
　　SI3400采用行业标准的TO-252 (DPAK) 封装形式，其出色的电气性能和热性能使其成为工业、消费电子以及通信设备的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.6mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：17nC
　　反向恢复时间：49ns
　　工作结温范围：-55℃ to +150℃

特性

1. 超低导通电阻，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
　　3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗。
　　4. 较小的封装尺寸，有助于实现紧凑型设计。
　　5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
　　6. 提供优秀的热性能，确保在高温环境下的稳定运行。

应用

SI3400广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
　　3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
　　4. 计算机及外设中的负载开关和保护电路。
　　5. 通信设备中的电源管理模块。
　　6. 各类电池供电设备中的充电和放电控制电路。