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PI2DDR3212NCE 发布时间 时间:2025/12/26 10:52:38 查看 阅读:8

PI2DDR3212NCE是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低功耗的双通道DDR4和DDR5内存接口缓冲器,专为满足现代服务器、数据中心和高性能计算(HPC)系统中对高速内存子系统的严格要求而设计。该器件主要用于提升内存通道的信号完整性,支持高频率数据传输,并确保在多负载配置下仍能维持稳定的时序与电压裕量。PI2DDR3212NCE集成了先进的均衡和驱动技术,能够在较长的PCB走线或复杂拓扑结构中有效补偿信道损耗,从而提高整体系统可靠性与可扩展性。其封装形式采用紧凑型WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装),有助于节省主板空间,同时提供优良的电气性能和散热能力。该芯片符合JEDEC标准规范,兼容主流CPU平台对内存接口的要求,适用于需要高带宽、低延迟内存访问的应用场景。此外,PI2DDR3212NCE内置多种可编程功能,可通过I2C接口进行配置,实现动态调整增益、预加重和输出摆幅等参数,以适应不同的系统设计需求。它还具备完善的电源管理机制,包括独立的电源域控制和低功耗待机模式,在非活跃状态下显著降低静态功耗,有助于构建绿色节能的数据中心基础设施。
  该器件的工作温度范围通常覆盖工业级标准(-40°C至+85°C或更高),并具有出色的抗噪声干扰能力和ESD保护性能,确保在严苛运行环境下的长期稳定性。PI2DDR3212NCE支持高达6400 MT/s甚至更高的数据速率,能够适配未来几代DDR5内存模组的发展趋势,延长平台生命周期。作为内存模块与处理器之间的关键接口元件,它广泛应用于RDIMM、LRDIMM以及新兴的CXL(Compute Express Link)内存扩展模块中,助力构建高效能、高密度的内存解决方案。

参数

制造商:Diodes Incorporated
  类型:内存接口缓冲器 / 中继器
  通道数:双通道
  支持标准:DDR4, DDR5
  最大数据速率:6400 MT/s 及以上
  工作电压:VDD/VDDQ = 1.1V ± 5%, VDDL = 1.8V
  接口类型:I2C 配置接口
  封装类型:WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  集成功能:可编程增益放大器、预加重、去加重、输入均衡
  符合标准:JEDEC DDR4/DDR5 规范
  电源管理:支持低功耗待机模式
  输入/输出阻抗匹配:支持 30Ω, 37.5Ω, 40Ω, 45Ω, 50Ω, 60Ω 等多种终端配置
  信号调理技术:自适应均衡与驱动增强

特性

PI2DDR3212NCE具备卓越的信号完整性优化能力,通过集成高度可调的输入均衡和输出预加重功能,能够有效补偿高频信号在长距离PCB走线或连接器中产生的插入损耗与反射干扰。这种自适应信号调理机制可根据实际通道环境动态调整补偿强度,确保眼图张开度最大化,从而显著降低误码率并提升系统稳定性。器件内部采用先进的CMOS工艺制造,兼具低噪声特性和高增益带宽积,使其在6400 MT/s及以上速率下依然保持优异的抖动性能和时序精度。每个通道均配备独立的可编程驱动单元,允许设计者针对不同负载数量和布线拓扑进行精细调节,例如在四插槽内存子系统中实现均匀的电压摆幅与上升/下降时间控制。
  该芯片支持I2C串行配置接口,用户可通过外部控制器读取状态寄存器、写入增益设置、启用或禁用特定通道、切换工作模式(如测试模式、环回模式)等操作,极大提升了系统调试与产线校准的灵活性。内置的非易失性配置存储单元可在上电复位后自动加载预设参数,减少主机初始化负担。此外,PI2DDR3212NCE实现了精细化的电源域划分,核心逻辑(VDD)、I/O接口(VDDQ)与低压锁相环(VDDL)分别供电,不仅增强了抗干扰能力,也便于系统级电源管理策略的实施。在功耗方面,芯片支持多种节能模式,包括通道级关断、待机模式和动态功率调节,在内存空闲期间可大幅降低静态电流消耗,符合现代数据中心对能效比的严苛要求。
  为了保障系统可靠性,PI2DDR3212NCE集成了全面的故障检测与保护机制,如过温告警、电源异常监测、LOS(Loss of Signal)检测等功能,并可通过I2C上报状态信息,协助平台实现预测性维护。其WLCSP封装形式不仅缩小了占板面积,还缩短了内部互连长度,进一步降低了寄生电感与电容效应,有利于高频性能发挥。整个设计遵循RoHS环保标准,并通过严格的AEC-Q100可靠性认证,适用于高可用性服务器、AI训练集群、云计算平台等关键任务场景。

应用

PI2DDR3212NCE主要应用于高端服务器主板、数据中心计算节点、人工智能加速器、高性能工作站以及下一代企业级存储系统中,作为DDR4和DDR5内存子系统的关键信号中继器件。在多插槽内存架构中,随着DRAM模组数量增加,内存总线负载加重,容易引发信号衰减、时序偏移等问题,此时PI2DDR3212NCE可部署于内存通道中间位置,起到重定时与信号再生的作用,确保从CPU到各个DIMM之间的数据传输稳定可靠。尤其在支持四通道或八通道内存控制器的设计中,该芯片能显著扩展内存容量上限而不牺牲性能表现。
  在RDIMM(Registered DIMM)和LRDIMM(Load-Reduced DIMM)模块上,PI2DDR3212NCE可用于缓冲地址、命令和时钟信号链路,减轻内存控制器的电气负担,提高系统的兼容性与可扩展性。此外,随着CXL(Compute Express Link)协议的普及,该器件也被用于CXL内存扩展设备中,支持缓存一致性的远程内存访问,助力构建异构计算环境下的内存池化架构。电信基础设施中的5G基站处理单元、边缘计算设备同样受益于其高带宽、低延迟的特性,能够在实时数据处理任务中提供强劲的内存支持。由于其宽温工作范围和高可靠性设计,PI2DDR3212NCE也可应用于工业自动化、航空航天及车载高性能计算平台等对稳定性要求极高的领域。

替代型号

PI2DDR3212NE

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PI2DDR3212NCE参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 应用存储器
  • 多路复用器/解复用器电路2:1
  • 开关电路-
  • 通道数14
  • 导通电阻(最大值)8 欧姆(标准)
  • 电压 -?电源,单 (V+)1.5V,1.8V
  • 电压 - 供电,双?(V±)-
  • -3db 带宽2.7GHz
  • 特性DDR3
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(4.5x4.5)