53NA50是一款常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率控制电路中。该器件采用了先进的平面技术,具有较低的导通电阻和高耐压能力,适合于各种高效率的开关应用。53NA50封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):连续工作模式下为5A,脉冲模式下可达15A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.45Ω(Vgs = 10V时)
耗散功率(Ptot):75W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220、D2PAK
53NA50的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该MOSFET具有较高的耐压能力,可承受高达500V的漏源电压,适用于高压电源转换器和开关电路。
53NA50还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其封装设计(如TO-220)具有良好的散热性能,确保在高电流负载下也能保持较低的温度上升。此外,该器件的栅极驱动特性较为简单,适合与多种类型的控制电路配合使用。
在可靠性方面,53NA50具备较高的耐用性和较长的使用寿命,适合在工业自动化、电源管理系统和电机控制等应用中使用。其抗静电能力和过载保护能力也较强,能够在一定程度上防止因意外过载或静电放电导致的损坏。
53NA50常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动电路、LED照明电源、工业自动化控制系统以及家用电器中的电源管理模块。由于其高耐压和低导通电阻的特性,该MOSFET也适用于需要高可靠性和高效能的电源设计中。
IRF540、STP5NA50、FDPF5N50、NCE5305