型号：PHW45NQ10T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：100 V
　　最大连续漏极电流(ID)：45 A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：180 A
　　最大栅源电压(VGS)：±20 V
　　导通电阻(RDS(on))：10 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 23 A
　　导通电阻(RDS(on))：13 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 17 A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0 V ~ 3.5 V
　　输入电容(Ciss)：3300 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容(Coss)：550 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间(trr)：38 ns
　　栅极电荷(Qg)：62 nC @ VGS = 10 V
　　功耗(PD)：100 W
　　工作温度范围(Tj)：-55 °C ~ +175 °C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 (5x6 mm)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

PHW45NQ10T采用了STMicroelectronics独有的STripFET? V高压工艺技术，这一先进的制程显著降低了单位面积的导通电阻，同时提升了器件的开关速度和热稳定性。该MOSFET在100V耐压等级下实现了低至10mΩ的典型RDS(on)，这使得在大电流应用中功率损耗大幅降低，提高了系统的整体能效。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为13mΩ，表明即使在逻辑电平驱动条件下也能保持优异的导通性能，适用于由微控制器或数字信号处理器直接驱动的低压控制系统。
　　该器件具有非常低的栅极电荷（Qg=62nC）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减少了开关延迟和动态损耗。这对于现代高频率DC-DC变换器、同步整流电路以及多相电压调节模块（VRM）尤为重要，能够有效提升电源的工作频率并缩小外围无源元件的尺寸。此外，PHW45NQ10T的输出电容（Coss）较低，进一步降低了关断过程中的能量损耗，有利于实现软开关拓扑结构下的高效运行。
　　另一个关键优势是其出色的热性能。PowerFLAT 5x6封装采用底部裸露焊盘设计，允许通过PCB上的热过孔将热量快速传导至地层或散热层，实现有效的热管理。这种封装还具备优良的机械可靠性和抗振动能力，特别适合用于汽车电子等严苛环境。PHW45NQ10T支持高达+175°C的最大结温，确保在高温环境下仍能安全运行，延长了产品寿命并增强了系统鲁棒性。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和重复性雪崩能量（EAS）承受能力，使其在遭遇瞬态过压或感性负载突变时不易损坏。其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=38ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），减少了反向恢复过程中产生的尖峰电流和电磁干扰（EMI），有助于提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。

PHW45NQ10T因其高电流承载能力、低导通电阻和优异的热性能，被广泛应用于多种高功率密度和高效率需求的电力电子系统中。在汽车电子领域，它常用于车载充电机（OBC）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向（EPS）等子系统中，满足新能源汽车对小型化和高能效的严格要求。在工业控制方面，该器件适用于电机驱动电路、伺服驱动器、可编程逻辑控制器（PLC）电源模块以及不间断电源（UPS）系统，提供稳定可靠的功率切换能力。
　　在消费类电子产品中，PHW45NQ10T可用于高性能笔记本电脑适配器、游戏主机电源、高端台式机主板的电压调节模块（VRM），以及大功率LED照明驱动电路。其高频开关特性使其成为LLC谐振转换器、同步整流器和多相降压变换器的理想选择。此外，在电信基础设施和数据中心服务器电源中，该MOSFET可用于实现高效率的48V转12V中间母线架构，支持高密度电源设计。
　　由于其具备良好的热管理和SMD封装形式，PHW45NQ10T也适合自动化贴片生产流程，便于大规模制造。在太阳能光伏逆变器中，它可以作为DC侧开关或MPPT跟踪电路的一部分，提升能量转换效率。总之，无论是需要高电流输出还是追求极致能效的应用场景，PHW45NQ10T都能提供卓越的性能支持。

[
　　 "PHT4NQ10CA",
　　 "IPD95R1K2P7",
　　 "SQJQ45N10",
　　 "IRF3713PBF",
　　 "FDPF45N10"
　　]