时间：2025/5/10 9:41:23
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LQG15HS4N7B02D 是罗姆（ROHM）公司生产的一款高效、低功耗的功率 MOSFET 芯片，属于 LQG 系列产品。该芯片采用沟槽式 MOSFET 技术制造，主要应用于电源管理领域中的开关电路和负载驱动场景。其出色的导通电阻性能和耐热性使得它非常适合用于高效率要求的场合，例如便携式设备、消费类电子产品以及工业控制等。
型号：LQG15HS4N7B02D
类型：N-Channel MOSFET
工作电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：8.0A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（最大值，典型值为38mΩ，@Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V（最小值）至4.0V（最大值）
功耗(PD)：29W（Ta=25℃）
封装形式：HSOP-J8
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LQG15HS4N7B02D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低功率损耗，提高整体效率。
2. 采用了先进的沟道技术设计，确保了芯片在高频开关时具备优异的动态性能。
3. 高速开关能力使其适用于需要快速响应的应用环境。
4. 小巧的封装形式有助于节省 PCB 板空间，满足现代电子产品的紧凑化需求。
5. 良好的热稳定性和可靠性保证了长期使用的稳定性。
LQG15HS4N7B02D 的典型应用场景包括：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 各类电池供电设备的负载开关及保护电路。
3. 消费类电子产品中的电机驱动与背光控制。
4. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
5. 通信设备中的电源管理和信号调节电路。
6. 笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式设备中的电源管理模块。
LQG15HS4N7B02C, LQG15HS4N7B02E
