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PHT4NQ10T 发布时间 时间:2025/6/17 0:02:39 查看 阅读:3

PHT4NQ10T 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高性能射频开关芯片,广泛应用于无线通信系统中的信号切换。该器件支持高达 6GHz 的频率范围,具有低插入损耗、高隔离度和出色的线性度等特性。它采用紧凑型封装设计,适合于空间受限的应用场景。

参数

类型:射频开关
  工作频率范围:DC 至 6GHz
  插入损耗:0.5dB(典型值)
  隔离度:30dB(最小值)
  VSWR:1.2:1(最大值)
  电源电压:2.7V 至 5.5V
  静态电流:1mA(最大值)
  封装形式:SOT-89

特性

PHT4NQ10T 提供卓越的射频性能,其低插入损耗有助于减少信号衰减,而高隔离度则确保了不同信号路径之间的干扰最小化。
  该芯片具备快速切换时间,能够满足现代通信设备对高速数据传输的需求。
  此外,它的工作电压范围较宽,可以功耗模式下表现出色,非常适合电池供电的便携式设备。
  PHT4NQ10T 还采用了可靠的 GaAs 工艺,从而提升了整体耐用性和稳定性。

应用

该芯片适用于各种无线通信领域,包括但不限于:
  - 智能手机和平板电脑中的多频段天线切换
  - 蜂窝基站前端模块中的收发切换
  - Wi-Fi 和蓝牙设备中的信号路由控制
  - 卫星通信系统中的高频信号管理
  - 雷达和导航设备中的射频信号处理

替代型号

PHT4NQ10F, HMC491LP4E, SKY13328-375LF

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PHT4NQ10T参数

  • 典型关断延迟时间20 ns
  • 典型接通延迟时间8 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs7.4 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds300 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度3.7mm
  • 封装类型SC-73
  • 尺寸6.7 x 3.7 x 1.7mm
  • 引脚数目4
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散6900 mW
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压100 V
  • 最大漏源电阻值0.25
  • 最大连续漏极电流3.5 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置双漏极、单
  • 长度6.7mm
  • 高度1.7mm