时间：2025/9/14 20:47:13
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PHPT61003PYX是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高性能双极型晶体管（BJT），采用PNP结构设计。该器件专为高频应用而设计，适用于需要高增益和快速开关性能的场合。PHPT61003PYX封装在SOT-23（TO-236）小型封装中，具有良好的热稳定性和可靠性。这款晶体管在射频（RF）和模拟电路设计中具有广泛的应用，如低噪声放大器、射频功率放大器和高速开关电路等。PHPT61003PYX的制造工艺符合工业级标准，能够在较高的温度范围内稳定工作。
晶体管类型：PNP BJT
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
最大工作频率（fT）：250MHz
增益（hFE）：最小110（在IC=2mA，VCE=5V时）
封装类型：SOT-23（TO-236）
工作温度范围：-55°C至+150°C
PHPT61003PYX具有优异的高频性能，能够支持高达250MHz的过渡频率（fT），这使得它非常适合用于射频和高速模拟信号处理。其PNP结构提供了良好的电流放大能力，在IC=2mA和VCE=5V的工作条件下，hFE（电流增益）最低可达110，确保了在低电流应用中的稳定增益性能。
该晶体管采用了ON Semiconductor的先进制造工艺，确保了器件在不同温度条件下的稳定性。SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，还具备良好的热管理能力，能够有效散热以维持器件长期运行的可靠性。
PHPT61003PYX的最大集电极-发射极电压为50V，集电极电流最大为100mA，最大功耗为300mW。这些参数表明该器件能够在中等功率应用中保持良好的性能，同时其低功耗特性也有助于提高系统整体能效。
由于其高频特性，PHPT61003PYX在低噪声放大器设计中表现出色，能够提供较高的增益和较低的噪声系数。此外，该器件在高速开关应用中也具有良好的表现，能够实现快速导通和关断，减少开关损耗，提高电路响应速度。
PHPT61003PYX广泛应用于射频（RF）和模拟电子电路设计中，尤其是在低噪声放大器（LNA）和射频功率放大器中，用于增强信号的强度而不引入过多噪声。它还常用于高速开关电路和射频信号处理模块，如无线通信系统、射频识别（RFID）设备和无线传感器网络。
此外，该晶体管也适用于需要较高增益和频率响应的音频放大器、电压调节电路以及各种模拟信号处理应用。由于其SOT-23封装的紧凑尺寸，PHPT61003PYX非常适合用于便携式电子设备和空间受限的PCB设计。
PN2907ALT1G, BC857BPN, MPS2907ALT1G
