PHPT610035NK 时间：2025/4/27 12:57:30 阅读：3

PHPT610035NK是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
　　这款MOSFET特别适合需要高效能和低功耗的应用场景，例如消费电子、工业控制和通信设备等。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：35A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：85nC
　　输入电容（典型值）：1240pF
　　开关速度：快速
　　封装形式：TO-247

特性

PHPT610035NK的主要特性包括以下几点：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)）：典型值为3.5mΩ，可以有效降低功率损耗。
　　2. 高电流承载能力：最大支持35A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
　　3. 快速开关性能：具有较小的栅极电荷和优化的寄生参数，能够实现高效的高频开关操作。
　　4. 热稳定性强：采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适合长时间稳定运行。
　　5. 符合RoHS标准：环保设计，确保产品符合国际环保法规要求。

应用

PHPT610035NK适用于多种电力电子应用场景，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流管。
　　2. 电机驱动：驱动直流无刷电机或其他类型的电机。
　　3. DC-DC转换器：作为功率级开关器件，实现高效的电压转换。
　　4. 工业控制：如变频器、伺服驱动系统等。
　　5. 通信设备：用于电源管理和信号处理部分。
　　6. 汽车电子：适配汽车中的各类电气系统，例如电动助力转向等。