时间：2025/10/7 5:47:15
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URZ1A221MDD是村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于村田的GCD系列，专为高稳定性和高可靠性应用设计。URZ1A221MDD具有220μF的标称电容值，额定电压为10V DC，适用于去耦、滤波和旁路等电路功能。该电容器采用先进的陶瓷材料和制造工艺，确保在宽温度范围内具有优异的电气性能和稳定性。其小型化封装符合现代电子产品对紧凑尺寸和轻量化的需求，广泛应用于消费类电子、通信设备、计算机及其外围设备等领域。
URZ1A221MDD采用导电高分子固体电解质技术，相较于传统的铝电解电容器或钽电容器，具备更低的等效串联电阻（ESR）、更高的纹波电流承受能力以及更长的使用寿命。此外，该器件无铅且符合RoHS指令要求，适合环保型电子产品制造。由于其卓越的频率响应特性和低噪声特性，URZ1A221MDD在电源管理单元中可有效抑制电压波动，提升系统整体稳定性与效率。
电容：220μF
容差：±20%
额定电压：10V DC
工作温度范围：-55℃ ~ +105℃
温度特性：X5R
封装尺寸：3225（公制：3.2mm x 2.5mm）
引脚数量：2
安装类型：表面贴装（SMD）
最大高度：1.6mm
等效串联电阻（ESR）：≤10mΩ（典型值，100kHz）
纹波电流（RMS）：≥1.5A（100kHz）
绝缘电阻：≥500MΩ 或 时间常数 ≥10000Ω·F
寿命：在额定电压和+105℃环境下可连续工作2000小时以上
URZ1A221MDD具备出色的电性能稳定性和温度适应能力，在-55℃至+105℃的工作温度范围内，其电容变化率控制在±15%以内（符合EIA X5R标准），能够在极端环境条件下保持可靠运行。该电容器采用叠层结构设计，通过精密印刷和高温共烧工艺实现高容量密度，使得在3225的小型封装内集成220μF的大容量成为可能，极大提升了单位体积内的储能效率。这种高密度集成特性使其成为替代传统钽电容或铝电解电容的理想选择，尤其适用于空间受限的便携式设备。
该器件的低等效串联电阻（ESR）特性显著降低了在高频开关电源中的功率损耗和发热问题，提高了电源转换效率，并有助于减少输出电压纹波，增强系统的电磁兼容性（EMC）。同时，由于使用了导电高分子固体电解质而非液态电解液，URZ1A221MDD不存在干涸、泄漏或爆裂的风险，具备更高的安全性和长期可靠性。即使在高温高湿环境中长期运行，也能维持稳定的性能表现，不易发生老化失效。
URZ1A221MDD还具有优异的机械强度和抗热冲击能力，能够承受回流焊过程中的高温循环而不损坏内部结构。其端电极采用三层金属化结构（Ni/Sn镀层），增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，确保在自动化贴片生产线上的高良品率。此外，该产品经过严格的出厂测试，包括耐电压测试、漏电流测试和阻抗测试，保证每一批次产品的品质一致性。作为村田高品质MLCC系列的一员，URZ1A221MDD还支持高速批量供货，满足大规模工业生产的供应链需求。
URZ1A221MDD广泛用于各类需要高效能、小体积、高可靠性的电子设备中。在移动通信领域，它常被用作智能手机、平板电脑和无线模块中的电源去耦电容，配合DC-DC转换器或LDO稳压器，稳定核心处理器、基带芯片和射频前端的供电电压，防止因瞬态电流变化引起的信号干扰或系统复位。在消费类电子产品如数码相机、游戏机和智能穿戴设备中，该电容器用于电池管理电路和电源滤波网络，提升能源利用效率并延长续航时间。
在计算机及周边设备中，URZ1A221MDD可用于主板、显卡、固态硬盘（SSD）等板卡的电源去耦和储能环节，特别是在CPU/GPU供电模块附近，发挥其低ESR优势以应对快速动态负载变化。此外，在工业控制、医疗电子和汽车电子（非动力系统）中，该器件也因其宽温特性和高可靠性而受到青睐，适用于PLC控制器、传感器模块、车载信息娱乐系统等场景。随着电子产品向小型化、高频化和低功耗方向发展，URZ1A221MDD凭借其综合性能优势，已成为现代高性能电源设计中的关键元件之一。
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