时间：2025/9/14 19:14:06
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PHPT610030NPKX 是一家知名半导体公司（如NXP Semiconductors）生产的功率MOSFET器件，广泛应用于高功率、高效率的电子系统中。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有出色的导通电阻、热稳定性和耐压能力，适用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerPAK 8x8
PHPT610030NPKX MOSFET具备多项高性能特性，包括低导通电阻、高电流承载能力和出色的热稳定性。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得在高频率和高负载条件下仍能保持良好的效率。其低RDS(on)特性有助于减少功率损耗，提高系统的整体能效。此外，该MOSFET的封装设计优化了散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行，适用于需要高可靠性的应用场景。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受短时间的高能量冲击，从而提高系统的安全性。其设计符合AEC-Q101汽车电子标准，适合在汽车电源管理系统、电动车辆的逆变器和充电系统中使用。同时，该MOSFET的封装尺寸紧凑，便于在高密度PCB设计中使用。
PHPT610030NPKX主要应用于高功率、高效率的电子系统，如汽车电子中的电机控制、电池管理系统、DC-DC转换器等。此外，它也适用于工业自动化设备、服务器电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动工具等对功率器件性能要求较高的场景。其优异的电气性能和可靠性使其成为许多高要求应用中的首选功率开关器件。
IPB65R045CFD、SiZ600DT、FDP100N60
