时间：2025/8/25 5:31:11
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RURD620CCS9A_SB82068是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）制造的功率MOSFET，专为高效能和高可靠性要求的应用设计。这款MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种应用。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
封装类型：TSON（热增强型小型无引脚封装）
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：20mΩ（典型值）
功耗（Pd）：2.0W
工作温度范围：-55°C至150°C
RURD620CCS9A_SB82068的主要特性包括低导通电阻，能够显著减少导通损耗，提高系统效率。其TSON封装设计提供了优良的热管理性能，使得该器件能够在高电流条件下稳定工作而不至于过热。此外，该MOSFET具备快速开关能力，降低了开关损耗，从而进一步提升了整体效率。该器件的高可靠性和紧凑设计使其非常适合空间受限和对性能要求较高的应用。其宽广的工作温度范围确保了其在恶劣环境下的稳定性与可靠性。
RURD620CCS9A_SB82068广泛应用于多种电子设备中，如便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及电池供电设备等。其高效的性能和紧凑的封装使其成为现代电子设计中理想的功率开关元件。
RURD620CCS9A
