时间：2025/9/14 22:32:37
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PHPT60610NY 是一家知名厂商生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（典型值）
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
PHPT60610NY MOSFET具有多项先进的设计特点，确保其在高性能功率应用中的卓越表现。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使得在高频开关应用中具有更低的开关损耗。此外，PHPT60610NY具有高雪崩耐量，能够承受瞬态过电压，提高系统的可靠性和稳定性。其TO-263封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持4V至20V的栅极驱动，兼容多种驱动电路设计。最后，其高抗扰能力使其在恶劣环境中依然能够稳定运行。
PHPT60610NY MOSFET适用于多种功率电子设备，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器以及高功率负载开关等。由于其高效率和高可靠性，它也广泛用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源和汽车电子系统中。
IRF6760, SiR686DP, FDP6060, IPB60R011C6
